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联电厦门厂拟推进28纳米在台另辟18纳米战场dd-【新闻】

发布时间:2021-04-10 18:47:01 阅读: 来源:模具加工厂家

联电厦门厂拟推进28纳米 在台另辟18纳米战场

OFweek电子工程网讯:联电有意推动28纳米制程在厦门厂生产。李建梁摄晶圆代工厂联电看好大陆对于28纳米制程需求将大爆发,积极为厦门12吋厂28纳米制程投产解套,碍于半导体西进N-1世代技术法令限制,近期联电与IC设计业者展开18纳米制程合作,全面为厦门12吋厂挺进28纳米制程铺路。不过,相关消息仍待联电对外宣布。 全球半导体先进技术进入16/14纳米FinFET制程竞赛,然28纳米制程仍扮演重要角色,由于大陆移动通讯产品需求旺盛,业者预期28纳米制程至少会再热络3年,联电看准这一波商机,全力为厦门12吋厂生产28纳米制程解套。 联电厦门12吋厂已动土兴建,并申请55和40纳米制程西进,由于40与28纳米PolySiON制程多数机台设备都相通,联电希望28纳米制程能在厦门厂合法生产。根据既有半导体厂西进设立12吋厂法令规范,必须是N-1世代技术,因为联电并没有20纳米制程技术,联电若要在厦门厂生产28纳米制程,必须在台湾量产14纳米制程。 半导体业者透露,14纳米FinFET制程难度非常高,即便是台积电和三星电子(Samsung Electronics)在16/14纳米制程亦耗费非常久的时间,2015年才陆续进入量产,联电14纳米制程虽号称2015年中进入试产,预计2016年量产,但内部评估需要更长时间,如此恐延误厦门12吋厂生产28纳米时程,联电内部遂决定另辟战场,研发18纳米制程为厦门厂解套。 由于不少IC设计业者认为采用14纳米制程生产太贵,有意与联电共同打造一个效能、耗电都优于28纳米,但成本低于14纳米的制程世代,联电遂决定投入18纳米制程,初期仅规划1万片产能。 半导体业者认为,联电28纳米制程系延续台积电T-Like设计,采用Gate-Last制程,其他如GlobalFoundries等都是采用Gate-First制程,很难说服台积电现有的28纳米制程客户转单,联电想要借由28纳米制程在大陆抢市占是可行的策略。 不过,业界传出联电18纳米制程采用FinFET设计,技术难度也相当高,联电好不容易量产28纳米,并投入14纳米制程,若要再发展18纳米制程,恐分散内部研发资源。 另外,中芯国际与高通合作28纳米制程亦不断释出量产消息,但业者透露,中芯和高通针对28纳米合作并没有以往密切,使得中芯28纳米制程进度有些卡关。

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